Patent detail

Zapojení FG MOS a QFG MOS tranzistorů pro analogové integrované obvody

KHATEB, F. KHATIB, N.

Patent type

Utility model

Abstract

Nová technika pro analogové integrované obvody "Enhanced Floating Gate MOS transistor (EFG-MOST)" používá MOS tranzistor s plovoucím hradlem (Floating gate), kde jsou spojeny substrátové hradlo tranzistoru (bulk vývod) a vstupní plovoucí hradlo. Toto spojení vede ke zvýšení celkové transkonduktance tranzistoru a eliminuje se vliv prahového napětí. EFG-MOST umožňuje navrhovat a vyrábět analogové obvody ve standardní CMOS technologii. Unikátnost této techniky spočívá ve snižování napájecího napětí pod 0,8 V a snížení celkové spotřeby. Tato technika je tedy obzvlášť vhodná pro navrhování integrovaných obvodů pro biomedicínské aplikace, kde je snižování napájecího napětí a celková spotřeba obvodů velmi důležitým požadavkem.

Keywords

MOST s plovoucím hradlem; Substrátem řízený MOST; Návrh nízkonapěťového nízkopříkonového analogového obvodu

Patent number

23091

Date of registration

19.12.2011

Date of expiry

19.07.2015

Publisher

Úřad průmyslového vlastnictví

Owner

Vysoké učení technické v Brně Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií, Brno, CZ

www