Publication detail

RTS šum v tranzistorech MOSFET

Original Title

RTS šum v tranzistorech MOSFET

Czech Title

RTS šum v tranzistorech MOSFET

Language

cs

Original Abstract

Nízkofrekvenční šum v tranzistorech MOSFET je dán především složkami se spektrem typu 1/f a šumem RTS (random telegraph signal), vznikajícím v důsledku zachycování a uvolňování nosičů náboje na pastech v blízkosti kanálu. Článek podává souhrn experimentálních výsledků o závislosti amplitudy RTS šumu a střední doby zachycení a emise na aplikovaném napětí a teplotě, na jejich základě lze pak stanovit některé charakteristiky pastí, jako aktivační energii nebo polohu v kanálu.

Czech abstract

Nízkofrekvenční šum v tranzistorech MOSFET je dán především složkami se spektrem typu 1/f a šumem RTS (random telegraph signal), vznikajícím v důsledku zachycování a uvolňování nosičů náboje na pastech v blízkosti kanálu. Článek podává souhrn experimentálních výsledků o závislosti amplitudy RTS šumu a střední doby zachycení a emise na aplikovaném napětí a teplotě, na jejich základě lze pak stanovit některé charakteristiky pastí, jako aktivační energii nebo polohu v kanálu.

BibTex


@article{BUT48028,
  author="Jan {Pavelka} and Josef {Šikula} and Munecazu {Tacano} and Masato {Toita}",
  title="RTS šum v tranzistorech MOSFET",
  annote="Nízkofrekvenční šum v tranzistorech MOSFET je dán především složkami se spektrem typu 1/f a šumem RTS (random telegraph signal), vznikajícím v důsledku zachycování a uvolňování nosičů náboje na pastech v blízkosti kanálu. Článek podává souhrn experimentálních výsledků o závislosti amplitudy RTS šumu a střední doby zachycení a emise na aplikovaném napětí a teplotě, na jejich základě lze pak stanovit některé charakteristiky pastí, jako aktivační energii nebo polohu v kanálu.",
  address="FZU AV ČR",
  chapter="48028",
  institution="FZU AV ČR",
  journal="Jemná mechanika a optika",
  number="10",
  volume="54",
  year="2009",
  month="november",
  pages="273--277",
  publisher="FZU AV ČR",
  type="journal article"
}