Publication detail

Simulace kvantizačních jevů v kanále NMOS tranzistoru

Original Title

Simulace kvantizačních jevů v kanále NMOS tranzistoru

Czech Title

Simulace kvantizačních jevů v kanále NMOS tranzistoru

Language

cs

Original Abstract

Zahrnutí kvantizačních jevů do simulace struktury NMOSFET způsobuje přírůstek prahového napětí oproti klasické simulaci bez zahrnutí těchto jevů. Příspěvek popisuje vliv kvantizačních jevů v kanálu NMOSFET na elektrické vlastnosti struktury. Klasická driftově-difúzní simulace nezahrnující korekci na kvantové jevy, simulace s využitím kvantově korekčních modelů jako jsou van Dortův model a model hustotního gradientu (density gradient model) a simulace zahrnující přímé řešení Schroedingerovy rovnice jsou provedeny a jsou porovnány vybrané fyzikální a elektrické charakteristiky. Simulace jsou provedeny v rámci GENESISe. Jsou využity programy jako strukturní editor MDRAW, strukturní simulátor DESSIS a programy pro vizualizaci a extrakci parametrů TECPLOT a INSPECT.

Czech abstract

Zahrnutí kvantizačních jevů do simulace struktury NMOSFET způsobuje přírůstek prahového napětí oproti klasické simulaci bez zahrnutí těchto jevů. Příspěvek popisuje vliv kvantizačních jevů v kanálu NMOSFET na elektrické vlastnosti struktury. Klasická driftově-difúzní simulace nezahrnující korekci na kvantové jevy, simulace s využitím kvantově korekčních modelů jako jsou van Dortův model a model hustotního gradientu (density gradient model) a simulace zahrnující přímé řešení Schroedingerovy rovnice jsou provedeny a jsou porovnány vybrané fyzikální a elektrické charakteristiky. Simulace jsou provedeny v rámci GENESISe. Jsou využity programy jako strukturní editor MDRAW, strukturní simulátor DESSIS a programy pro vizualizaci a extrakci parametrů TECPLOT a INSPECT.

BibTex


@inproceedings{BUT25399,
  author="Milan {Recman}",
  title="Simulace kvantizačních jevů v kanále NMOS tranzistoru",
  annote="Zahrnutí kvantizačních jevů do simulace struktury NMOSFET způsobuje přírůstek prahového napětí oproti klasické simulaci bez zahrnutí těchto jevů. Příspěvek popisuje vliv kvantizačních jevů v kanálu NMOSFET na elektrické vlastnosti struktury. Klasická driftově-difúzní simulace nezahrnující korekci na kvantové jevy, simulace s využitím kvantově korekčních modelů jako jsou van Dortův model a model hustotního gradientu (density gradient model) a simulace zahrnující přímé řešení Schroedingerovy rovnice jsou provedeny a jsou porovnány vybrané fyzikální a elektrické charakteristiky. Simulace jsou provedeny v rámci GENESISe. Jsou využity programy jako strukturní editor MDRAW, strukturní simulátor DESSIS a programy pro vizualizaci a extrakci parametrů TECPLOT a INSPECT.",
  address="Nakl. Novotný",
  booktitle="MIKROSYN. Nové trendy v mikroelektronických systémech a nanotechnologiích.. Seminář o výsledcích výzkumného záměru MSM 0021630503 v roce 2007. Sborník příspěvků. Nakl. Novotný, Brno 2007",
  chapter="25399",
  institution="Nakl. Novotný",
  year="2007",
  month="january",
  pages="61",
  publisher="Nakl. Novotný",
  type="conference paper"
}