Publication detail

Počítačová simulace přímého tunelování hradlovými oxidy

Original Title

Počítačová simulace přímého tunelování hradlovými oxidy

Czech Title

Počítačová simulace přímého tunelování hradlovými oxidy

Language

cs

Original Abstract

Se zmenšující se délkou kanálu tranzistorů NMOS se zmenšuje tloušťka hradlového oxidu a dominantní složkou proudu hradlem se stává přímé tunelování nosičů z kanálu a SDE(source-drain extensions) do polykrystalického hradla. Příspěvek se zabývá TCAD simulací tohoto tunelového proudu v NMOSFET strukturách s tloušťkou oxidu menší než 20 A. S použitím programů DIOS a MDRAW je vytvořena dvoudimenzionální struktura tranzistoru NMOS. DESSIS počítá složku hradlového proudu odpovídající přímému tunelování přes hradlový oxid a program INSPECT generuje a srovnává simulované A-V charakteristiky pro 7 jednotlivých simulací. Všechny experimenty jsou prováděny v grafickém prostředí GENESISe.

Czech abstract

Se zmenšující se délkou kanálu tranzistorů NMOS se zmenšuje tloušťka hradlového oxidu a dominantní složkou proudu hradlem se stává přímé tunelování nosičů z kanálu a SDE(source-drain extensions) do polykrystalického hradla. Příspěvek se zabývá TCAD simulací tohoto tunelového proudu v NMOSFET strukturách s tloušťkou oxidu menší než 20 A. S použitím programů DIOS a MDRAW je vytvořena dvoudimenzionální struktura tranzistoru NMOS. DESSIS počítá složku hradlového proudu odpovídající přímému tunelování přes hradlový oxid a program INSPECT generuje a srovnává simulované A-V charakteristiky pro 7 jednotlivých simulací. Všechny experimenty jsou prováděny v grafickém prostředí GENESISe.

BibTex


@inproceedings{BUT25397,
  author="Milan {Recman}",
  title="Počítačová simulace přímého tunelování hradlovými oxidy",
  annote="Se zmenšující se délkou kanálu tranzistorů NMOS se zmenšuje tloušťka hradlového oxidu a dominantní složkou proudu hradlem se stává přímé tunelování nosičů z kanálu a SDE(source-drain extensions) do polykrystalického hradla. Příspěvek se zabývá TCAD simulací tohoto tunelového proudu v NMOSFET strukturách s tloušťkou oxidu menší než  20 A. S použitím programů DIOS a MDRAW je vytvořena dvoudimenzionální struktura tranzistoru NMOS. DESSIS počítá složku hradlového proudu odpovídající přímému tunelování přes hradlový oxid a program INSPECT generuje a srovnává simulované A-V charakteristiky pro 7 jednotlivých simulací. Všechny experimenty jsou prováděny v grafickém prostředí GENESISe.",
  address="Nakl. Novotný",
  booktitle="MIKROSYN. Nové trendy v mikroelektronických systémech a nanotechnologiích.. Seminář o výsledcích výzkumného záměru MSM 0021630503 v roce 2007. Sborník příspěvků. Nakl. Novotný, Brno 2007",
  chapter="25397",
  institution="Nakl. Novotný",
  year="2007",
  month="january",
  pages="51",
  publisher="Nakl. Novotný",
  type="conference paper"
}