Publication detail

Citlivostní analýza tranzistoru NMOS

Original Title

Citlivostní analýza tranzistoru NMOS

Czech Title

Citlivostní analýza tranzistoru NMOS

Language

cs

Original Abstract

Je popsáno využití systému ISE TCAD pro zjištění jak změny základních parametrů technologického procesu ovlivňují změnu prahového napětí NMOS tranzistoru. Je aplikována nízkopříkonová technologie CMOS s délkou hradla 0.15 µm. Struktura NMOS tranzistoru je generována s využitím programů DIOS a MDRAW. Program DESSIS simuluje strukturu a generuje elektrické charakteristiky, ze kterých program INSPECT extrahuje prahové napětí. Program OPTIMISE generuje příslušné simulační experimenty a počítá citlivost prahového napětí vzhledem k jednotlivým zvoleným parametrům technologického procesu.

Czech abstract

Je popsáno využití systému ISE TCAD pro zjištění jak změny základních parametrů technologického procesu ovlivňují změnu prahového napětí NMOS tranzistoru. Je aplikována nízkopříkonová technologie CMOS s délkou hradla 0.15 µm. Struktura NMOS tranzistoru je generována s využitím programů DIOS a MDRAW. Program DESSIS simuluje strukturu a generuje elektrické charakteristiky, ze kterých program INSPECT extrahuje prahové napětí. Program OPTIMISE generuje příslušné simulační experimenty a počítá citlivost prahového napětí vzhledem k jednotlivým zvoleným parametrům technologického procesu.

BibTex


@inproceedings{BUT24701,
  author="Milan {Recman}",
  title="Citlivostní analýza tranzistoru NMOS",
  annote="Je popsáno využití systému ISE TCAD pro zjištění jak změny základních parametrů technologického procesu ovlivňují změnu prahového napětí NMOS tranzistoru. Je aplikována nízkopříkonová technologie CMOS s délkou hradla 0.15 µm. Struktura NMOS tranzistoru je generována s využitím programů DIOS a MDRAW. Program DESSIS simuluje strukturu a generuje elektrické charakteristiky, ze kterých program INSPECT extrahuje prahové napětí. Program OPTIMISE generuje příslušné simulační experimenty a počítá citlivost prahového napětí vzhledem k jednotlivým zvoleným parametrům technologického procesu.",
  address="Nakl. Novotný",
  booktitle="Konference MIKROSYN. Nové trendy v mikroelektronických systémech a nanotechnologiích",
  chapter="24701",
  institution="Nakl. Novotný",
  year="2006",
  month="january",
  pages="106",
  publisher="Nakl. Novotný",
  type="conference paper"
}