Publication detail

Simulace iontové implantace programem DIOS

Original Title

Simulace iontové implantace programem DIOS

Czech Title

Simulace iontové implantace programem DIOS

Language

cs

Original Abstract

Je popsáno užití procesního simulátoru DIOS pro srovnání výstupních dat jednotlivých implantací a příslušných teplotních cyklů při realizaci diodové strukury. Postup založen na spojení programů DIOS a TECPLOT-ISE umožňuje vytvořit efektivní prostředek pro srovnání výstupů jednotlivých procesních kroků, jako jsou iontové implantace a další. Popsaný přiklad simulace technologického procesu realizace struktury polovodičové diody srovnává colkovou koncentraci bóru během procesu. Jsou popsány jednotlivé technologické kroky zahrnující vytvoření konečného profilu výsledné koncentrace bóru. Grafický postprocesor TECPLOT-ISE je využit pro zobrazení a srovnání celková koncentrace bóru v jednotlivých krocích technologického procesu.

Czech abstract

Je popsáno užití procesního simulátoru DIOS pro srovnání výstupních dat jednotlivých implantací a příslušných teplotních cyklů při realizaci diodové strukury. Postup založen na spojení programů DIOS a TECPLOT-ISE umožňuje vytvořit efektivní prostředek pro srovnání výstupů jednotlivých procesních kroků, jako jsou iontové implantace a další. Popsaný přiklad simulace technologického procesu realizace struktury polovodičové diody srovnává colkovou koncentraci bóru během procesu. Jsou popsány jednotlivé technologické kroky zahrnující vytvoření konečného profilu výsledné koncentrace bóru. Grafický postprocesor TECPLOT-ISE je využit pro zobrazení a srovnání celková koncentrace bóru v jednotlivých krocích technologického procesu.

BibTex


@inproceedings{BUT24700,
  author="Milan {Recman}",
  title="Simulace iontové implantace programem DIOS",
  annote="Je popsáno užití procesního simulátoru DIOS pro srovnání výstupních dat jednotlivých implantací a příslušných teplotních cyklů při realizaci diodové strukury.  Postup založen na spojení programů  DIOS a TECPLOT-ISE umožňuje vytvořit efektivní prostředek pro srovnání výstupů jednotlivých procesních kroků, jako jsou iontové implantace a další. Popsaný přiklad simulace technologického procesu realizace struktury polovodičové diody srovnává colkovou koncentraci bóru během procesu. Jsou popsány jednotlivé technologické kroky zahrnující vytvoření konečného profilu výsledné koncentrace bóru. Grafický postprocesor  TECPLOT-ISE je využit pro zobrazení a srovnání celková koncentrace bóru v jednotlivých krocích technologického procesu.",
  address="Nakl. Novotný",
  booktitle="Konference MIKROSYN. Nové trendy v mikroelektronických systémech a nanotechnologiích",
  chapter="24700",
  institution="Nakl. Novotný",
  year="2006",
  month="january",
  pages="102",
  publisher="Nakl. Novotný",
  type="conference paper"
}