Publication detail

Simulace iontové implantace programem DIOS

RECMAN Milan

Original Title

Simulace iontové implantace programem DIOS

English Title

DIOS simulation of ion implantation

Type

conference paper

Language

Czech

Original Abstract

Je popsáno užití procesního simulátoru DIOS pro srovnání výstupních dat jednotlivých implantací a příslušných teplotních cyklů při realizaci diodové strukury. Postup založen na spojení programů DIOS a TECPLOT-ISE umožňuje vytvořit efektivní prostředek pro srovnání výstupů jednotlivých procesních kroků, jako jsou iontové implantace a další. Popsaný přiklad simulace technologického procesu realizace struktury polovodičové diody srovnává colkovou koncentraci bóru během procesu. Jsou popsány jednotlivé technologické kroky zahrnující vytvoření konečného profilu výsledné koncentrace bóru. Grafický postprocesor TECPLOT-ISE je využit pro zobrazení a srovnání celková koncentrace bóru v jednotlivých krocích technologického procesu.

English abstract

The example of using process simulator DIOS to compare data of individual implantation and corresponding temperature annealing steps within diode structure creation is presented. The method based on the DIOS TECPLOT-ISE link enables to form an effective tool to compare data of individual process steps simulations as ion implantations and other. The described example of diode process steps simulation uses this link to compare total boron concentrations throghout the process. The individual DIOS process simulation steps including final boron profile creation are described. TECPLOT-ISE graphical postprocessor is used to display and compare the individual total boron concentrations.

Keywords

Strukturní simulace, Elektrická simulace, Identifikace parametrů, Modelování polovodičových struktur, Optimalizace polovodičových struktur.

Key words in English

Device simulation, Electrical simulation, Parameter extraction, Device modeling, Curve fitting, Device optimization.

Authors

RECMAN Milan

RIV year

2006

Released

1. 1. 2006

Publisher

Nakl. Novotný

Location

Brno

ISBN

80-214-3342-6

Book

Konference MIKROSYN. Nové trendy v mikroelektronických systémech a nanotechnologiích

Pages from

102

Pages to

105

Pages count

4

BibTex

@inproceedings{BUT24700,
  author="Milan {Recman}",
  title="Simulace iontové implantace programem DIOS",
  booktitle="Konference MIKROSYN. Nové trendy v mikroelektronických systémech a nanotechnologiích",
  year="2006",
  pages="4",
  publisher="Nakl. Novotný",
  address="Brno",
  isbn="80-214-3342-6"
}