Publication detail

Simulace jevů krátkého kanálu

Original Title

Simulace jevů krátkého kanálu

Czech Title

Simulace jevů krátkého kanálu

Language

cs

Original Abstract

Prahové napětí tranzistorů MOSFET s krátkým kanálem se zmenšuje jestliže zvětšujeme napětí kolektoru a tento jev krátkého kanálu označujeme jako DIBL (Drain Induced Barrier Lowering). Příspěvek se zabývá TCAD (Technology Computer Aided Design) simulací tohoto jevu. Je popsán postup pro určení redukce prahového napětí a pro zvětšení podprahového proudu vyvolaných DIBL. Tento postup zahrnuje celkem 5 experímentů pro 5 vybraných hodnot předpětí kolektoru a jednotlivý experiment zahrnuje generaci struktury programem MDRAW, simulaci struktury programem DESSIS a extrakci elektrických charakteristik programem INSPECT. Všechny experimenty jsou prováděny v grafickém prostředí GENESISE.

Czech abstract

Prahové napětí tranzistorů MOSFET s krátkým kanálem se zmenšuje jestliže zvětšujeme napětí kolektoru a tento jev krátkého kanálu označujeme jako DIBL (Drain Induced Barrier Lowering). Příspěvek se zabývá TCAD (Technology Computer Aided Design) simulací tohoto jevu. Je popsán postup pro určení redukce prahového napětí a pro zvětšení podprahového proudu vyvolaných DIBL. Tento postup zahrnuje celkem 5 experímentů pro 5 vybraných hodnot předpětí kolektoru a jednotlivý experiment zahrnuje generaci struktury programem MDRAW, simulaci struktury programem DESSIS a extrakci elektrických charakteristik programem INSPECT. Všechny experimenty jsou prováděny v grafickém prostředí GENESISE.

BibTex


@inproceedings{BUT24699,
  author="Milan {Recman}",
  title="Simulace jevů krátkého kanálu",
  annote="Prahové napětí tranzistorů MOSFET s krátkým kanálem se zmenšuje jestliže zvětšujeme napětí kolektoru a tento jev krátkého kanálu označujeme jako DIBL (Drain Induced Barrier Lowering). Příspěvek se zabývá TCAD (Technology Computer Aided Design) simulací tohoto jevu. Je popsán postup pro určení redukce prahového napětí a pro zvětšení podprahového proudu vyvolaných DIBL. Tento postup zahrnuje celkem 5 experímentů pro 5 vybraných hodnot předpětí kolektoru a jednotlivý experiment zahrnuje generaci struktury programem MDRAW, simulaci struktury programem DESSIS a extrakci elektrických charakteristik programem INSPECT. Všechny experimenty jsou prováděny v grafickém prostředí GENESISE.",
  address="Nakl. Novotný",
  booktitle="Konference MIKROSYN. Nové trendy v mikroelektronických systémech a nanotechnologiích",
  chapter="24699",
  institution="Nakl. Novotný",
  year="2006",
  month="january",
  pages="98",
  publisher="Nakl. Novotný",
  type="conference paper"
}