Publication detail

Fyzikální popis luminiscenčních GaAsP diod

Original Title

Fyzikální popis luminiscenčních GaAsP diod

Czech Title

Fyzikální popis luminiscenčních GaAsP diod

Language

cs

Original Abstract

V práci je uveden základní fyzikální popis a technologie přípravy luminiscenčních GaAsP diod s ohledem na využití při studiu lokálních nestabilit v mikroplazmatických oblastech PN přechodu, které vznikají v důsledku nehomogenit PN přechodů.

Czech abstract

V práci je uveden základní fyzikální popis a technologie přípravy luminiscenčních GaAsP diod s ohledem na využití při studiu lokálních nestabilit v mikroplazmatických oblastech PN přechodu, které vznikají v důsledku nehomogenit PN přechodů.

BibTex


@inproceedings{BUT22101,
  author="Pavel {Koktavý} and Bohumil {Koktavý}",
  title="Fyzikální popis luminiscenčních GaAsP diod",
  annote="V práci je uveden základní fyzikální popis a technologie přípravy luminiscenčních GaAsP diod s ohledem na využití při studiu lokálních nestabilit v mikroplazmatických oblastech PN přechodu, které vznikají v důsledku nehomogenit PN přechodů.",
  address="Brno University of Technology",
  booktitle="Workshop NDT 2006, Non-destructive Testing in Engineering Practise",
  chapter="22101",
  howpublished="print",
  institution="Brno University of Technology",
  year="2006",
  month="november",
  pages="55--58",
  publisher="Brno University of Technology",
  type="conference paper"
}