Publication detail

šumové fluktuace v MOSFET strukturách

Original Title

šumové fluktuace v MOSFET strukturách

Czech Title

šumové fluktuace v MOSFET strukturách

Language

cs

Original Abstract

V průběhu posledních let bylo prokázáno, že zejména elektronické součástky na bázi polovodičů jsou zdroji proudových či napěťových fluktuací. Oblasti přechodu PN i homogenní polovodiče jsou zdroji mnoha typů šumu, který vzniká na nežádoucích defektech ve struktuře monokrystalu nebo technologickou nedokonalostí při přípravě přechodu PN. V oblasti diagnostiky materiálů a součástek existuje řada metod. Šumové diagnostické metody vycházejí ze skutečnosti, že transport nosičů náboje, vyzařování a pohlcování světla a další procesy, probíhající při vedení proudu v materiálech a součástkách jsou stochastické povahy a projevují se fluktuací proudu, napětí a dalších veličin např. odporu či kapacity a v případech laserů či luminiscenčních diod též jako fluktuace světelného toku. Statistické charakteristiky těchto fluktuací přinášejí další cenné informace o procesech, probíhajících ve sledovaných soustavách a doplňují tak střední hodnoty makroskopických veličin. Při vyhodnocování statistických závislosti jsou důležité průběhy korelační funkce nebo výkonová spektrální hustota fluktuující veličiny a další charakteristiky, jako je např. hustota rozdělení sledovaného náhodného procesu, které dávají další možnosti k získávání informací o fluktuacích a jejich návaznosti na definování kritérií pro tvorbu nedestruktivních diagnostických testů.

Czech abstract

V průběhu posledních let bylo prokázáno, že zejména elektronické součástky na bázi polovodičů jsou zdroji proudových či napěťových fluktuací. Oblasti přechodu PN i homogenní polovodiče jsou zdroji mnoha typů šumu, který vzniká na nežádoucích defektech ve struktuře monokrystalu nebo technologickou nedokonalostí při přípravě přechodu PN. V oblasti diagnostiky materiálů a součástek existuje řada metod. Šumové diagnostické metody vycházejí ze skutečnosti, že transport nosičů náboje, vyzařování a pohlcování světla a další procesy, probíhající při vedení proudu v materiálech a součástkách jsou stochastické povahy a projevují se fluktuací proudu, napětí a dalších veličin např. odporu či kapacity a v případech laserů či luminiscenčních diod též jako fluktuace světelného toku. Statistické charakteristiky těchto fluktuací přinášejí další cenné informace o procesech, probíhajících ve sledovaných soustavách a doplňují tak střední hodnoty makroskopických veličin. Při vyhodnocování statistických závislosti jsou důležité průběhy korelační funkce nebo výkonová spektrální hustota fluktuující veličiny a další charakteristiky, jako je např. hustota rozdělení sledovaného náhodného procesu, které dávají další možnosti k získávání informací o fluktuacích a jejich návaznosti na definování kritérií pro tvorbu nedestruktivních diagnostických testů.

BibTex


@inproceedings{BUT18090,
  author="Jan {Havránek} and Martin {Bláha} and Jiří {Zajaček}",
  title="šumové fluktuace v MOSFET strukturách",
  annote="V průběhu posledních let bylo prokázáno, že zejména elektronické součástky na bázi polovodičů jsou zdroji proudových či napěťových fluktuací. Oblasti přechodu PN i homogenní polovodiče jsou zdroji mnoha typů šumu, který vzniká na nežádoucích defektech ve struktuře monokrystalu nebo technologickou nedokonalostí při přípravě přechodu PN.
V oblasti diagnostiky materiálů a součástek existuje řada metod. Šumové diagnostické metody vycházejí ze skutečnosti, že transport nosičů náboje, vyzařování a pohlcování světla a další procesy, probíhající při vedení proudu v materiálech a součástkách jsou stochastické povahy a projevují se fluktuací proudu, napětí a dalších veličin např. odporu či kapacity a v případech laserů či luminiscenčních diod též jako fluktuace světelného toku. Statistické charakteristiky těchto fluktuací přinášejí další cenné informace o procesech, probíhajících ve sledovaných soustavách a doplňují tak střední hodnoty makroskopických veličin. Při vyhodnocování statistických závislosti jsou důležité průběhy korelační funkce nebo výkonová spektrální hustota fluktuující veličiny a další charakteristiky, jako je např. hustota rozdělení sledovaného náhodného procesu, které dávají další možnosti k získávání informací o fluktuacích a jejich návaznosti na definování kritérií pro tvorbu nedestruktivních diagnostických testů.
",
  address="VUT Brno",
  booktitle="Nové trendy v mikroelektronických systémech a nanotechnologiích",
  chapter="18090",
  institution="VUT Brno",
  year="2006",
  month="january",
  pages="89",
  publisher="VUT Brno",
  type="conference paper"
}