Patent detail

Podprahový MOS-rezistor pro aplikace s nízkým napájecím napětím

KHATEB, F. VLASSIS, S.

Patent type

Patent

Abstract

Je prezentována koncepce nového aktivního integrovaného rezistoru, jenž je realizován prostřednictvím MOS tranzistoru, pracujícího v podprahové oblasti a lineárním režimu, díky čemuž dosahuje poměrně vysoké hodnoty odporu. Navrhované řešení využívá automatický ladicí obvod k nastavení a regulaci hodnoty odporu na principu "master - slave" a zároveň k dosažení výrobní a teplotní stability rezistoru. Unikátnost tohoto návrhu spočívá v tom, že na rozdíl od stávajících řešení využívá svorky bulk MOS tranzistoru jako řídicího hradla (proto bulk-driven), a díky tomu je obvod schopen pracovat při nízkém napájecím napětí. Navrhovaný obvod slouží především pro oblast návrhu integrovaných obvodů pro biomedicínské aplikace.

Keywords

Podprahový MOS-rezistor

Patent number

304766

Date of application

13. 12. 2013

Date of registration

20. 8. 2014

Publisher

Úřad průmyslového vlastnictví (patentový úřad České republiky)

Owner

Vysoké učení technické v Brně, Brno, CZ

Possibilities of use

In order to use the result by another entity, it is always necessary to acquire a license

Licence fee

The licensor does not require a license fee for the result

www

http://spisy.upv.cz/Patents/FullDocuments/304/304766.pdf